從上世紀六七十年代至八十年代初，功率半導體器件主要是可控硅整流器(scr)、巨型晶體管(gtr)和其后的柵關(guān)斷晶閘管(gto)等。它們的主要用途是用于高壓輸電，以及制造將電網(wǎng)的380v或220v交流電變?yōu)楦鞣N各樣直流電的中大型電源和控制電動機運行的電機調(diào)速裝置等，這些設(shè)備幾乎都是與電網(wǎng)相關(guān)的強電裝置。因此，當時我國把這些器件的總稱———powersemiconductordevices沒有直譯為功率半導體器件，而是譯為電子電力器件，并將應(yīng)用這些器件的電路技術(shù)powerelectronics沒有譯為功率電子學，而是譯為電力電子技術(shù)。
　　電子電力器件按照器件的控制能力可分為以下三類：
　　半控型器件：晶閘管(thyristororscr)及其大部分派生器件，其特征是：控制極只能控制器件導通，不能控制關(guān)斷。
　　全控型器件：igbt、mosfet、gto、gtr，其特征是：控制極可以控制器件導通和關(guān)斷。
　　不可控器件：電力二極管(powerdiode)。
　　電子電力器件的應(yīng)用：
　　一般工業(yè)：交直流電機、電化學工業(yè)、冶金工業(yè)
　　交通運輸：電氣化鐵道、電動汽車、航空、航海
　　電力系統(tǒng)：高壓直流輸電、柔性交流輸電、無功補償
　　電子裝置電源：為信息電子裝置提供動力
　　家用電器：“節(jié)能燈”、變頻空調(diào)
　　其他：ups、航天飛行器、新能源、發(fā)電裝置
　　電子電力器件的核心是電力電子器件的芯片
　　目前均是用半導體材料、半導體制造工藝和技術(shù)(微電子技術(shù))生產(chǎn)的。電力電子器件的芯片是電力電子器件的核心，電力電子器件的芯片通過封裝上外殼就成為電力電子器件了。


　　電子電力器件分類及優(yōu)缺點
　　igbt優(yōu)點：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小;缺點：開關(guān)速度低于電力mosfet,電壓，電流容量不及gto。
　　gtr優(yōu)點：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低;缺點：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題。
　　gto優(yōu)點：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強;缺點：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低。
　　電力mosfet優(yōu)點：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題;缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kw的電力電子裝置。制約因素：耐壓，電流容量，開關(guān)的速度。
　　可控硅整流器(scr)、雙向晶閘管、雙極型功率晶體管(gtr)等半導體器件的，這些產(chǎn)品是新型電力電子器件。
　　電子電力器件是半導體分立器件的一個分支。
　　電子電力器件的核心是電力電子器件的芯片
　　電子電力器件發(fā)展趨勢：
　　市場分析進入新世紀，電力電子器件的研究和開發(fā)，已進入高頻化，標準模塊化，集成化和智能時代。高頻化是今后電力電子電子電力器件技術(shù)創(chuàng)新的主導方向，而硬件結(jié)構(gòu)的
　　準模塊是器件發(fā)展的必然趨勢，正航儀器的總結(jié)就是這些，不過根據(jù)目前先進的模塊，已經(jīng)包括開關(guān)元件和與其反向并聯(lián)的續(xù)流二極管在內(nèi)及驅(qū)動保護電路多個單元，并都以標準化和生產(chǎn)出系列產(chǎn)品，并且可以在一致性與可靠性上達到極高的水平。http://m.2sdd.com